Przeskocz do głównej zawartości

Wieloskalowe modelowanie materiałów

Rozpocznij wyszukiwanie
Strona główna
Wieloskalowe modelowanie materiałów
OPTIM
English
  


   O projekcie
       Zadania
       Publikacje
       Galeria
       Oprogramowanie
  

 

Od lewej: Idealna struktura kryształu GaN (struktura B4); dwa różne typy rdzeni (5:7 i 8) dyslokacji krawędziowej o wektorze Burgersa 1/3<2-1-1> otrzymane dla kryształu GaN wyznaczone dla punktów osobliwych zaznaczonych gwiazdką na rysunku

Siatka atomów i wiązań w krysztale ZnS (struktura B4) cześciowo zanurzona w siatce 27-węzłowych elementów skończonych - wizualizacja wykonana programen VECDs

Model dyskretny z trzema podobszarami wspólnymi z  modelem ciągłym MEB

Model tarczy. a) typy strefy przejściowej: b) dwa podobszary, c) jeden podobszar,
d) bez podobszarów

Model geometryczny implantu wraz z tkanką kostną, b) model MES w skali makro, c) model MEB w skali mikro porowatej mikrostruktury

Rozkład naprężeń redukowanych a) w tkance kostnej, b) w całym modelu

Etapy spęczania materiału do produkcji elementów łącznych

Wyniki symulacji etapu skrawania

  

Symulacja test ścinania w celu wyznaczenia własności materiału

Wynik nałożenia siatki elementów skończonych na ziarna

Wizualizacja mikrostruktur materiałowych zbudowanych w oparciu o framework CA

Model pękania kruchego, propagacja pęknięcia

Kompleksowy model wizualizacji – makro-mikro-nano

a) Rozkład atomów formujących pętle dyslokacyjne w nanoidentowanym krystale miedzi;
b) Przekrój przez nanoindentowanty polikryształ Cu z ziarnami manometrycznymi. Wyniki własne z symulacji wykonanej statyką molekularną

Model makro rozpatrywanego ciała,   RVE - model mikro

       

Model makro rozpatrywanego ciała, RVE - model mikro, Rozkład przemieszczeń wypadkowych w skali makro

Ewolucja składu chemicznego w studni kwantowej InN/GaN pod wpływem gradientu naprężenia;
Potencjał elektrostatyczny otrzymany w semipolarnej, oś Z=(11-22), kropce kwantowej GaN/AlN