Od lewej: Idealna struktura
kryształu GaN (struktura B4); dwa różne typy rdzeni (5:7 i 8)
dyslokacji krawędziowej o wektorze Burgersa 1/3<2-1-1> otrzymane
dla kryształu GaN wyznaczone dla punktów osobliwych zaznaczonych
gwiazdką na rysunku
Siatka atomów i wiązań w krysztale ZnS (struktura B4) cześciowo
zanurzona w siatce 27-węzłowych elementów skończonych -
wizualizacja wykonana programen VECDs
Model dyskretny z trzema podobszarami wspólnymi z
modelem ciągłym MEB
Model tarczy. a) typy strefy przejściowej: b) dwa podobszary, c)
jeden podobszar,
d) bez podobszarów
 
Model geometryczny implantu wraz z tkanką kostną, b) model MES w
skali makro, c) model MEB w skali mikro porowatej mikrostruktury
 
Rozkład naprężeń redukowanych a) w tkance kostnej, b) w całym
modelu
Etapy spęczania materiału do produkcji elementów łącznych
Wyniki symulacji etapu skrawania
Symulacja test ścinania w celu wyznaczenia własności materiału
Wynik nałożenia siatki elementów skończonych na ziarna
 
Wizualizacja mikrostruktur materiałowych zbudowanych w oparciu o
framework CA
  
Model pękania kruchego, propagacja pęknięcia
Kompleksowy model wizualizacji – makro-mikro-nano
 
a) Rozkład atomów formujących pętle dyslokacyjne w
nanoidentowanym krystale miedzi;
b) Przekrój przez nanoindentowanty polikryształ Cu z ziarnami
manometrycznymi. Wyniki własne z symulacji wykonanej statyką
molekularną
 
Model makro rozpatrywanego ciała, RVE - model mikro
Model makro rozpatrywanego ciała, RVE - model mikro, Rozkład
przemieszczeń wypadkowych w skali makro
 
Ewolucja składu chemicznego w studni kwantowej InN/GaN pod
wpływem gradientu naprężenia;
Potencjał elektrostatyczny otrzymany w semipolarnej, oś
Z=(11-22), kropce kwantowej GaN/AlN
|